简历
誉鸿锦
江西誉鸿锦材料科技有限公司
更新时间：2025-06-04
存续
被执行人
失信被执行人
简介：江西誉鸿锦材料科技有限公司,2021年01月29日成立，经营范围包括许可项目：国营贸易管理货物的进出口（依法须经批准的项目，经相关部门批准后在许可有效期内方可开展经营活动，具体经营项目和许可期限以相关部门批准文件或许可证件为准）
一般项目：技术进出口，货物进出口，进出口代理，光电子器件制造，半导体照明器件制造，半导体分立器件制造，半导体分立器件销售，半导体照明器件销售，半导体器件专用设备销售，电力电子元器件制造，电子专用材料销售，光电子器件销售，集成电路制造，集成电路销售，集成电路芯片及产品销售，集成电路芯片及产品制造，技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
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法定代表人
闫怀宝
注册资本
11600万人民币
成立日期
2021-01-29
19880022666
联系方式5
工商信息
法定代表人
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下载简历
闫怀宝
成立日期
2021-01-29
登记状态
存续（在营、开业、在册）
注册资本
11600.000000万人民币
实缴资本
11600.000000万人民币
企业类型
有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)
参保人数
30人
所属地区
江西省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91361003MA39U18917
工商注册号
361003110004830
组织机构代码
MA39U1891
曾用名
-
所属行业
科技推广和应用服务业
经营范围
许可项目：国营贸易管理货物的进出口（依法须经批准的项目，经相关部门批准后在许可有效期内方可开展经营活动，具体经营项目和许可期限以相关部门批准文件或许可证件为准）
一般项目：技术进出口，货物进出口，进出口代理，光电子器件制造，半导体照明器件制造，半导体分立器件制造，半导体分立器件销售，半导体照明器件销售，半导体器件专用设备销售，电力电子元器件制造，电子专用材料销售，光电子器件销售，集成电路制造，集成电路销售，集成电路芯片及产品销售，集成电路芯片及产品制造，技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
企业地址
江西省抚州市抚州高新技术产业开发区高新五路半导体科技园7号楼
营业期限
2021-01-29 至 无固定期限
核准日期
2024-11-04
登记机关
抚州高新技术产业开发区市场监督管理局
股东信息 1
主要人员 2
闫
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职位
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总经理,执行董事
邵
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职位
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监事
对外投资 4
法定代表人
闫怀宝
注册资本
5000万元人民币
投资数额
3500.0
投资比例
70%
成立日期
2021-01-29
经营状态
存续（在营、开业、在册）
法定代表人
闫怀宝
注册资本
5000万元人民币
投资数额
5000万人民币
投资比例
100%
成立日期
2021-02-02
经营状态
存续（在营、开业、在册）
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开庭公告 3
建设工程施工合同纠纷
案号： （2024）赣1002民初8023号
开庭日期： 2025-05-30
公诉人/原告： 江西永景建设工程有限公司
被告人/被告： 江西誉鸿锦材料科技有限公司、 深圳誉鸿锦芯科技合伙企业
劳动争议
案号： （2025）赣1002民初1312号
开庭日期： 2025-03-07
公诉人/原告： 江西誉鸿锦材料科技有限公司
被告人/被告： 李**
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裁判文书 1
五河三度净化科技有限公司、江苏唐人物业服务有限公司等建设工程施工合同纠纷民事二审民事判决书
案号： （2023）赣10民终131号
发布日期： 2023-04-15
案件身份：
上诉人（原审原告）:
{
"name": "五河三度净化科技有限公司",
"digest": "02995af94d7f6514ea0c0029799b7101"
}
被上诉人（原审被告）:
{
"name": "江西誉鸿锦材料科技有限公司",
"digest": "3429f50e5b25402b2a0e9c6e70f91401"
}
执行法院： 江西省抚州市中级人民法院
招投标 4
江西誉鸿锦材料科技有限公司第三代半导体产业链项目
发布日期： 2024-08-22
省份地区： 江西
公告类型： -
泾芯电子信息产业园项目（一期）比选公告
发布日期： 2023-03-31
省份地区： 陕西
公告类型： -
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商标信息 5
GANITRIDE
商标已注册
注册号：69537637
申请日期：2023-02-13
国际分类：09-科学仪器
誉鸿锦
商标已注册
注册号：69538106
申请日期：2023-02-13
国际分类：35-广告销售
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专利信息 21
一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法
发明授权
法律状态：授权
申请日期：2021-12-31
公布日期：2025-04-01
申请公布号：CN114335195B
一种填充6LiF的半绝缘GaN微沟槽型中子探测器
实用新型
法律状态：授权
申请日期：2024-03-06
公布日期：2024-11-26
申请公布号：CN222070841U
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