三安
湖南三安半导体有限责任公司
更新时间:2024-11-07
存续
简介:湖南三安半导体有限责任公司,2020年07月07日成立,经营范围包括一般项目:半导体分立器件制造;半导体照明器件制造;照明器具制造;光电子器件制造;集成电路制造;集成电路芯片及产品制造;集成电路设计;电子专用材料研发;电子专用材料制造;电子专用材料销售;电力电子元器件制造;电力电子元器件销售;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;工程和技术研究和试验发展;珠宝首饰制造;机械设备销售;五金产品批发;电子产品销售;货物进出口;技术进出口;住房租赁;非居住房地产租赁。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
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法定代表人
林志东
简历
注册资本
450000万人民币
成立日期
2020-07-07
0731-82735135
联系方式7
工商信息
法定代表人
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下载简历
林志东
成立日期
2020-07-07
登记状态
存续(在营、开业、在册)
注册资本
450000.000000万人民币
实缴资本
100000.000000万人民币
企业类型
有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资)
参保人数
1312人
所属地区
湖南省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91430100MA4RG9WQ7N
工商注册号
430193000359496
组织机构代码
MA4RG9WQ7
曾用名
-
所属行业
专用设备制造业
经营范围
一般项目:半导体分立器件制造;半导体照明器件制造;照明器具制造;光电子器件制造;集成电路制造;集成电路芯片及产品制造;集成电路设计;电子专用材料研发;电子专用材料制造;电子专用材料销售;电力电子元器件制造;电力电子元器件销售;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;工程和技术研究和试验发展;珠宝首饰制造;机械设备销售;五金产品批发;电子产品销售;货物进出口;技术进出口;住房租赁;非居住房地产租赁。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
企业地址
长沙高新开发区长兴路399号
营业期限
2020-07-07 至 2045-07-06
核准日期
2024-09-24
登记机关
湖南湘江新区管理委员会
股东信息 1
三安光电股份有限公司
持股比例
100%
股东类型
企业法人
认缴出资额
450000万元
实缴出资额
-
主要人员 7
关
关洪宾
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职位
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董事
张
张洁
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职位
下载简历
董事
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对外投资 6
福建北电新材料科技有限公司
股权结构
法定代表人
蔡文必
注册资本
11045万元人民币
投资数额
11045万人民币
投资比例
1
成立日期
2017-03-31
经营状态
存续(在营、开业、在册)
斯科
苏州斯科半导体有限公司
股权结构
法定代表人
高贤
注册资本
30000万元人民币
投资数额
9000.0万元
投资比例
0.3
成立日期
2022-03-23
经营状态
存续(在营、开业、在册)
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开庭公告 15
劳动争议
案号:
(2024)湘0112民初9844号
开庭日期:
2024-10-16
公诉人/原告:
湖南三安半导体有限责任公司
被告人/被告:
黄**
建设工程设计合同纠纷
案号:
(2023)湘0112民初9547号
开庭日期:
2023-11-30
公诉人/原告:
上海琚墨空间设计有限公司
被告人/被告:
湖南三安半导体有限责任公司
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裁判文书 2
杨**、湖南省灿隆门窗装饰工程有限公司提供劳务者受害责任纠纷一审民事裁定书
案号:
(2021)湘0104民初10572号
发布日期:
2021-08-16
案件身份:
申请人:
{ "name": "杨从林", "digest": "" }
被申请人:
{ "name": "湖南省灿隆门窗装饰工程有限公司", "digest": "684c8a21ca414295a0c45b601941998b" }
执行法院:
湖南省长沙市岳麓区人民法院
杨**与湖南省灿隆门窗装饰工程有限公司、湖南三安半导体有限责任公司提供劳务者受害责任纠纷一审民事裁定书
案号:
(2021)湘0104民初10572号之一
发布日期:
2021-08-16
案件身份:
原告:
{ "name": "杨从林", "digest": "" }
被告:
{ "name": "湖南省灿隆门窗装饰工程有限公司", "digest": "684c8a21ca414295a0c45b601941998b" }
执行法院:
湖南省长沙市岳麓区人民法院
招投标 5
2023年建设工程消防设计审查信息公示表(2023年12月8日-12月14日)
发布日期:
2023-12-19
省份地区:
湖南
公告类型:
-
2023年建设工程消防设计审查信息公示表(2023年11月17日至11月23日)
发布日期:
2023-11-27
省份地区:
湖南
公告类型:
-
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专利信息 236
半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法
发明公布
法律状态:公布
申请日期:2024-07-16
公布日期:2024-11-12
申请公布号:CN118943162A
半导体器件的制备方法及其半导体器件
发明公布
法律状态:公布
申请日期:2024-06-28
公布日期:2024-11-08
申请公布号:CN118919551A
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