无锡紫光微电子有限公司

更新时间:2026-01-27
注销
简介:无锡紫光微电子有限公司,2014年08月19日成立,经营范围包括半导体集成电路和器件、电子产品、仪器仪表的研发、设计、生产和销售;利用自有资产对外投资;自营各类商品及技术的进出口(国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
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法定代表人
马道杰
简历
注册资本
3000万人民币
成立日期
2014-08-19
0510-8521****
联系方式5
有活跃电话
工商信息
法定代表人
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马道杰
成立日期
2014-08-19
登记状态
注销
注册资本
3000.000000万人民币
实缴资本
3000.000000万人民币
企业类型
有限责任公司
参保人数
26人
所属地区
江苏省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
913202143138987208
工商注册号
320213000221067
组织机构代码
313898720
曾用名
无锡同方微电子有限公司
所属行业
研究和试验发展
经营范围
半导体集成电路和器件、电子产品、仪器仪表的研发、设计、生产和销售;利用自有资产对外投资;自营各类商品及技术的进出口(国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
企业地址
无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层
营业期限
2014-08-19 至 无固定期限
核准日期
2024-10-30
登记机关
无锡高新技术产业开发区(无锡市新吴区)数据局
股东信息 2
持股比例
70%
股东类型
企业法人
认缴出资额
2100万元
实缴出资额
2100
持股比例
30%
股东类型
企业法人
认缴出资额
900万元
实缴出资额
900
主要人员 5
岳超
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职位
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董事
张欣
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职位
下载简历
监事
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开庭公告 6
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裁判文书 2
商标信息 1
IGTO
商标已注册
注册号:21246312
申请日期:2016-09-08
国际分类:09-科学仪器
专利信息 122
一种高压深沟槽型超结MOSFET的结构及其制作方法
发明授权
法律状态:授权
申请日期:2019-05-07
公布日期:2024-03-12
申请公布号:CN110010693B
一种高压多次外延型超结MOSFET的结构及制造方法
发明授权
法律状态:授权
申请日期:2019-05-07
公布日期:2024-03-12
申请公布号:CN110010694B
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