简历
北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
更新时间：2025-05-31
存续
简介：北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司,2010年08月06日成立，经营范围包括工程和技术研究与试验发展；技术开发、技术咨询；技术检测；销售机械设备、电子产品。（其中知识产权出资为450.0万元；企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
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法定代表人
张国义
注册资本
1350万人民币
成立日期
2010-08-06
13901356627
联系方式3
工商信息
法定代表人
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张国义
成立日期
2010-08-06
登记状态
存续（在营、开业、在册）
注册资本
1350.000000万人民币
实缴资本
1350.000000万人民币
企业类型
其他有限责任公司
参保人数
0人
所属地区
北京市
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91110108560411385E
工商注册号
110108013108117
组织机构代码
560411385
曾用名
-
所属行业
研究和试验发展
经营范围
工程和技术研究与试验发展；技术开发、技术咨询；技术检测；销售机械设备、电子产品。（其中知识产权出资为450.0万元；企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
企业地址
北京市顺义区文化营村北（顺创二路1号）
营业期限
2010-08-06 至 2030-08-05
核准日期
2023-11-23
登记机关
北京市顺义区市场监督管理局
股东信息 2
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持股比例
33.3333%
股东类型
自然人股东
认缴出资额
450万元
实缴出资额
-
主要人员 3
张
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职位
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经理
秦
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职位
下载简历
监事
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对外投资 1
法定代表人
张立胜
注册资本
13090.44万元人民币
投资数额
-
投资比例
-
成立日期
2020-09-01
经营状态
存续（在营、开业、在册）
专利信息 14
无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置
发明授权
法律状态：授权
申请日期：2015-01-16
公布日期：2018-10-19
申请公布号：CN105845798B
一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片的制备方法
发明授权
法律状态：授权
申请日期：2015-06-23
公布日期：2018-06-08
申请公布号：CN105023984B
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