简历
北京通美晶体技术股份有限公司
更新时间：2025-05-23
存续
简介：北京通美晶体技术股份有限公司,1998年09月25日成立，经营范围包括生产单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素；研究、开发单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素；销售自产产品；从事半导体材料与产品的批发、佣金代理（拍卖除外）、进出口（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的按照国家有关规定办理申请），提供咨询、技术和售后服务。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
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法定代表人
莫里斯·杨
注册资本
88542.68万人民币
成立日期
1998-09-25
8610-61562241
联系方式17
工商信息
法定代表人
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莫里斯·杨
成立日期
1998-09-25
登记状态
存续（在营、开业、在册）
注册资本
88542.675600万人民币
实缴资本
88542.675600万人民币
企业类型
股份有限公司(外商投资、未上市)
参保人数
528人
所属地区
北京市
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91110000700004889C
工商注册号
110000410131295
组织机构代码
700004889
曾用名
北京通美晶体技术有限公司
所属行业
计算机、通信和其他电子设备制造业
经营范围
生产单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素；研究、开发单晶抛光片及相关的半导体材料和超纯元素；销售自产产品；从事半导体材料与产品的批发、佣金代理（拍卖除外）、进出口（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的按照国家有关规定办理申请），提供咨询、技术和售后服务。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
企业地址
北京市通州区工业开发区东二街4号
营业期限
1998-09-25 至 无固定期限
核准日期
2024-11-21
登记机关
北京市通州区市场监督管理局
股东信息 22
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主要人员 12
刘
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职位
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监事
宋
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职位
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董事
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对外投资 8
法定代表人
MORRIS SHEN-SHIH YOUNG
注册资本
19305.0654万元人民币
投资数额
19305.0654万人民币
投资比例
100%
成立日期
2017-07-28
经营状态
存续（在营、开业、在册）
法定代表人
王育新
注册资本
17337.1951万元人民币
投资数额
17337.1951万人民币
投资比例
100%
成立日期
2017-10-18
经营状态
存续（在营、开业、在册）
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开庭公告 4
劳动争议
案号： （2021）京0112民初29764号
开庭日期： 2021-08-19
公诉人/原告： 北京通美晶体技术股份有限公司
被告人/被告： 崔**
申请撤销仲裁裁决
案号： （2019）京03民特392号
开庭日期： 2019-09-20
公诉人/原告： 北京通美晶体技术有限公司
被告人/被告： 梁**、 于**、 高*、 刘**、 商**、 乔**
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裁判文书 5
北京通美晶体技术股份有限公司与山西巨变科技有限公司买卖合同纠纷一审民事裁定书
案号： （2022）京0112民初27834号
发布日期： 2023-06-22
案件身份：
申请人:
{
"name": "北京通美晶体技术股份有限公司",
"digest": "b55f7a7dc6dde9091cc78c960626830f"
}
被申请人:
{
"name": "山西巨变科技有限公司",
"digest": "cc3b8cf0a8125295959639d05332fb01"
}
执行法院： 北京市通州区人民法院
北京通美晶体技术股份有限公司与崔**劳动争议二审民事判决书
案号： （2021）京03民终19882号
发布日期： 2022-03-17
案件身份：
上诉人（原审原告）:
{
"name": "北京通美晶体技术股份有限公司",
"digest": "b55f7a7dc6dde9091cc78c960626830f"
}
被上诉人（原审被告）:
{
"name": "崔冬梅",
"digest": ""
}
执行法院： 北京市第三中级人民法院
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招投标 1
GZCG-G2020010号许昌市市投智慧城市开发建设有限公司“许昌市涉气排污企业用电监管设施建设及运维项目”（不见面开标）-评标公示
发布日期： 2020-09-17
省份地区： 河南
公告类型： 招标结果
商标信息 18
图形
商标无效
注册号：61787299
申请日期：2021-12-29
国际分类：09-科学仪器
图形
商标无效
注册号：61794254
申请日期：2021-12-29
国际分类：01-化学原料
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专利信息 158
含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体
发明授权
法律状态：授权
申请日期：2019-12-13
公布日期：2025-04-11
申请公布号：CN111321470B
含有掺入元素的磷化铟晶体、单晶片及其制备方法、器件
发明公布
法律状态：公布
申请日期：2023-09-22
公布日期：2025-04-01
申请公布号：CN119736714A
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