简历
瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司
更新时间：2024-11-16
存续
简介：瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司,2011年03月31日成立，经营范围包括半导体材料和器材的研发、生产、销售及相关技术咨询与服务；经营各类商品和技术的进出口（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；其他机械设备及电子产品批发；电气设备批发；贸易代理。（以上商品不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）
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法定代表人
赵建辉
注册资本
38819.21万人民币
成立日期
2011-03-31
0592-7767289
联系方式10
工商信息
法定代表人
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赵建辉
成立日期
2011-03-31
登记状态
存续（在营、开业、在册）
注册资本
38819.212900万人民币
实缴资本
38819.212900万人民币
企业类型
股份有限公司(外商投资、未上市)
参保人数
828人
所属地区
福建省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91350200568418733D
工商注册号
350298400004980
组织机构代码
568418733
曾用名
瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
所属行业
批发业
经营范围
半导体材料和器材的研发、生产、销售及相关技术咨询与服务；经营各类商品和技术的进出口（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；其他机械设备及电子产品批发；电气设备批发；贸易代理。（以上商品不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）
企业地址
厦门火炬高新区同翔高新城市头东二路198-1号
营业期限
2011-03-31 至 9999-12-31
核准日期
2023-06-28
登记机关
厦门市市场监督管理局
股东信息 33
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持股比例
28.1703%
股东类型
自然人股东
认缴出资额
10935.49万元
实缴出资额
6607
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主要人员 16
冯
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职位
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总经理
吴
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职位
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监事
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对外投资 1
法定代表人
赵建辉
注册资本
5000万元人民币
投资数额
5000万人民币
投资比例
100%
成立日期
2024-05-31
经营状态
存续（在营、开业、在册）
开庭公告 2
股东资格确认纠纷
案号： （2024）闽0213民初4427号
开庭日期： 2024-12-17
公诉人/原告： 朱**
被告人/被告： 厦门市当丰科技有限公司、 瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司
合同纠纷
案号： （2023）闽0206民初1281号
开庭日期： 2023-03-01
公诉人/原告： 厦门市汉众投资有限公司
被告人/被告： 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
裁判文书 4
厦门市汉众投资有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司等合同纠纷民事管辖上诉管辖裁定书
案号： （2022）闽02民辖终37号
发布日期： 2022-06-03
案件身份：
上诉人（原审被告）:
{
"name": "瀚天天成电子科技（厦门）有限公司",
"digest": "c1b5254177954de3aad7314ac6e6629e"
}
被上诉人（原审原告）:
{
"name": "厦门市汉众投资有限公司",
"digest": "caaf2b5f3bc27dbf14cb342e5125e1c8"
}
原审第三人:
{
"name": "厦门满园春物产投资开发有限公司",
"digest": "945ed019b6648bdf6f1042e8e68654c4"
}
执行法院： 福建省厦门市中级人民法院
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司与上海冠通展览策划有限公司展览合同纠纷一审民事裁定书
案号： （2014）奉民二（商）初字第2300号
发布日期： 2018-09-29
案件身份：
原告:
{
"name": "瀚天天成电子科技(厦门)有限公司",
"digest": "c1b5254177954de3aad7314ac6e6629e"
}
被告:
{
"name": "上海冠通展览策划有限公司",
"digest": "69514e4c2fb84afaa36431a2eef6b52d"
}
执行法院： 上海市奉贤区人民法院
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招投标 27
瀚天天成6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化项目（二期）
发布日期： 2024-10-12
省份地区： 福建
公告类型： -
高质量8英寸碳化硅外延晶片研发及产业化
发布日期： 2024-09-30
省份地区： 福建
公告类型： -
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商标信息 20
瀚天天成 EPIWORLD
商标已注册
注册号：69541459
申请日期：2023-02-13
国际分类：09-科学仪器
瀚天天成 EPIWORLD
商标已注册
注册号：69367035
申请日期：2023-02-02
国际分类：01-化学原料
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专利信息 73
一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底
发明授权
法律状态：授权
申请日期：2020-12-28
公布日期：2024-08-13
申请公布号：CN113782422B
一种碳化硅衬底中微管缺陷的检测方法
发明公布
法律状态：实质审查
申请日期：2023-12-29
公布日期：2024-04-09
申请公布号：CN117849067A
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