简历
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
更新时间：2024-11-23
存续
简介：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,2000年12月21日成立，经营范围包括半导体（硅片及各类化合物半导体）集成电路芯片制造、针测及测试，与集成电路有关的开发、设计服务、技术服务、光掩膜制造、测试封装，销售自产产品。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
更多
法定代表人
刘训峰
注册资本
244000万美元
成立日期
2000-12-21
(021)50802000
联系方式10
工商信息
法定代表人
查看他所有的企业
下载简历
刘训峰
成立日期
2000-12-21
登记状态
存续（在营、开业、在册）
注册资本
244000.000000万美元
实缴资本
244000.000000万美元
企业类型
有限责任公司(外国法人独资)
参保人数
5394人
所属地区
上海市
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91310115710939629R
工商注册号
310115400074320
组织机构代码
710939629
曾用名
-
所属行业
计算机、通信和其他电子设备制造业
经营范围
半导体（硅片及各类化合物半导体）集成电路芯片制造、针测及测试，与集成电路有关的开发、设计服务、技术服务、光掩膜制造、测试封装，销售自产产品。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
企业地址
中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
营业期限
2000-12-21 至 2050-12-20
核准日期
2024-05-29
登记机关
自由贸易试验区市场监督管理局
股东信息 1
持股比例
100%
股东类型
外商投资投资性公司
认缴出资额
244000万元
实缴出资额
-
主要人员 3
L
查看他所有的企业
职位
下载简历
总经理
刘
查看他所有的企业
职位
下载简历
执行董事
打开小程序，查看全部主要人员
对外投资 4
法定代表人
高永岗
注册资本
10000万元人民币
投资数额
1951.01万元
投资比例
19.5101%
成立日期
2014-02-27
经营状态
存续（在营、开业、在册）
法定代表人
郭光莉
注册资本
345800万元人民币
投资数额
345800万人民币
投资比例
100%
成立日期
2014-02-27
经营状态
存续（在营、开业、在册）
打开小程序，查看全部对外投资
开庭公告 67
职务发明创造发明人、设计人奖励、报酬纠纷
案号： （2024）沪73知民初246号
开庭日期： 2024-11-19
公诉人/原告： 俞**
被告人/被告： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
职务发明创造发明人、设计人奖励、报酬纠纷
案号： （2023）沪73知民初241号
开庭日期： 2024-07-25
公诉人/原告： 俞**
被告人/被告： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
打开小程序，查看全部开庭公告
裁判文书 54
张**与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司劳动合同纠纷二审民事裁定书
案号： （2022）沪01民终13873号
发布日期： 2023-08-10
案件身份：
上诉人（原审原告）:
{
"name": "张银娟",
"digest": ""
}
被上诉人（原审被告）:
{
"name": "中芯国际集成电路制造（上海）有限公司",
"digest": "c5128a60365ad90357bcc81b4afb489c"
}
执行法院： 上海市第一中级人民法院
姚**与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司劳动合同纠纷一审民事判决书
案号： （2022）沪0115民初32308号
发布日期： 2023-05-15
案件身份：
原告:
{
"name": "姚仕银",
"digest": ""
}
被告:
{
"name": "中芯国际集成电路制造（上海）有限公司",
"digest": "c5128a60365ad90357bcc81b4afb489c"
}
执行法院： 上海市浦东新区人民法院
打开小程序，查看全部裁判文书
招投标 85
中芯国际12英寸芯片SN1和SN2厂房项目（SN2厂房）
发布日期： 2024-09-10
省份地区： 上海
公告类型： -
中芯国际晶圆八厂一期工艺连廊扩建项目
发布日期： 2024-07-25
省份地区： 上海
公告类型： -
打开小程序，查看全部招投标
商标信息 167
驳回复审中
注册号：76449800
申请日期：2024-01-17
国际分类：09-科学仪器
驳回复审中
注册号：73660183
申请日期：2023-08-23
国际分类：40-材料加工
打开小程序，查看全部商标信息
专利信息 25529
半导体结构及其形成方法
发明授权
法律状态：授权
申请日期：2019-09-20
公布日期：2024-11-22
申请公布号：CN112542385B
半导体结构的形成方法
发明授权
法律状态：授权
申请日期：2020-01-08
公布日期：2024-11-22
申请公布号：CN113097136B
打开小程序，查看全部专利信息