南京中安半导体设备有限责任公司
更新时间:2024-11-24
存续
简介:南京中安半导体设备有限责任公司,2020年03月23日成立,经营范围包括许可项目:技术进出口(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以审批结果为准) 一般项目:电子测量仪器制造;实验分析仪器制造;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;电子元器件与机电组件设备制造;信息技术咨询服务;知识产权服务;半导体器件专用设备制造;半导体器件专用设备销售;电子专用设备制造;电力电子元器件销售;集成电路芯片及产品销售;专用设备制造(不含许可类专业设备制造);电子测量仪器销售;电子专用材料制造;电子专用设备销售;人工智能硬件销售;电子、机械设备维护(不含特种设备);光学仪器销售;集成电路芯片及产品制造(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
更多
法定代表人
陈俊
简历
注册资本
5245.62万人民币
成立日期
2020-03-23
025-58259931
联系方式11
工商信息
法定代表人
查看他所有的企业
下载简历
陈俊
成立日期
2020-03-23
登记状态
存续(在营、开业、在册)
注册资本
5245.623788万人民币
实缴资本
3758.832788万人民币
企业类型
有限责任公司(自然人投资或控股)
参保人数
133人
所属地区
江苏省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91320191MA212QCU5D
工商注册号
320191000354894
组织机构代码
MA212QCU5
曾用名
-
所属行业
计算机、通信和其他电子设备制造业
经营范围
许可项目:技术进出口(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以审批结果为准) 一般项目:电子测量仪器制造;实验分析仪器制造;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;电子元器件与机电组件设备制造;信息技术咨询服务;知识产权服务;半导体器件专用设备制造;半导体器件专用设备销售;电子专用设备制造;电力电子元器件销售;集成电路芯片及产品销售;专用设备制造(不含许可类专业设备制造);电子测量仪器销售;电子专用材料制造;电子专用设备销售;人工智能硬件销售;电子、机械设备维护(不含特种设备);光学仪器销售;集成电路芯片及产品制造(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
企业地址
南京江北新区研创园雨合北路6号光电科技园A座1、4、5楼
营业期限
2020-03-23 至 无固定期限
核准日期
2024-05-15
登记机关
南京江北新区管理委员会行政审批局
股东信息 33
南京力安半导体有限公司
持股比例
22.3039%
股东类型
外商投资企业
认缴出资额
1169.98万元
实缴出资额
-
义乌华芯远景创业投资中心(有限合伙)
持股比例
11.1562%
股东类型
内资合伙企业
认缴出资额
585.21万元
实缴出资额
-
打开小程序,查看全部股东信息
主要人员 8
A
ANANDREWZENG
查看他所有的企业
职位
下载简历
董事长
初
初新堂
查看他所有的企业
职位
下载简历
董事
打开小程序,查看全部主要人员
对外投资 5
中安
深圳市中安半导体科技有限公司
股权结构
法定代表人
AN ANDREW ZENG
注册资本
200万元人民币
投资数额
200万人民币
投资比例
100%
成立日期
2021-06-17
经营状态
注销
中安
中安半导体(南京)有限公司
股权结构
法定代表人
陈俊
注册资本
5000万元人民币
投资数额
5000万人民币
投资比例
100%
成立日期
2023-06-30
经营状态
存续(在营、开业、在册)
打开小程序,查看全部对外投资
开庭公告 2
买卖合同纠纷
案号:
(2024)苏01民终6056号
开庭日期:
2024-05-24
公诉人/原告:
深圳市鑫山顺科技有限公司
被告人/被告:
南京中安半导体设备有限责任公司
买卖合同纠纷
案号:
(2024)苏01民终6056号
开庭日期:
2024-05-23
公诉人/原告:
深圳市鑫山顺科技有限公司
被告人/被告:
南京中安半导体设备有限责任公司
招投标 1
采购半导体设备第十一批中标结果公告(1)
发布日期:
2024-08-27
省份地区:
江苏
公告类型:
招标结果
商标信息 9
图形
商标已注册
注册号:59749475
申请日期:2021-10-12
国际分类:40-材料加工
中安半导体
商标已注册
注册号:59775129
申请日期:2021-10-12
国际分类:40-材料加工
打开小程序,查看全部商标信息
专利信息 22
成像平面空间的校正方法及其校正装置以及晶圆测量装置
发明授权
法律状态:实质审查
申请日期:2021-07-23
公布日期:2024-10-15
申请公布号:CN113516645B
晶圆几何参数以及晶圆上掩膜层的厚度的测量方法
发明授权
法律状态:授权
申请日期:2020-12-25
公布日期:2024-10-01
申请公布号:CN112864075B
打开小程序,查看全部专利信息