东莞市中镓半导体科技有限公司
更新时间:2024-11-24
存续
简介:东莞市中镓半导体科技有限公司,2009年01月12日成立,经营范围包括设计、研发及产销:半导体材料、器件、生产设备、检测设备及其配件、软件;半导体技术的咨询;货物进出口、技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
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法定代表人
刘崇亮
简历
注册资本
13010万
成立日期
2009-01-12
18928222758
联系方式8
工商信息
法定代表人
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刘崇亮
成立日期
2009-01-12
登记状态
存续(在营、开业、在册)
注册资本
13010.000000万
实缴资本
13000.000000万元
企业类型
其他有限责任公司
参保人数
85人
所属地区
广东省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
914419006844126701
工商注册号
441900000467097
组织机构代码
684412670
曾用名
-
所属行业
研究和试验发展
经营范围
设计、研发及产销:半导体材料、器件、生产设备、检测设备及其配件、软件;半导体技术的咨询;货物进出口、技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
企业地址
广东省东莞市企石镇五纵路3号1号楼
营业期限
2009-01-12 至 无固定期限
核准日期
2024-06-24
登记机关
东莞市市场监督管理局
股东信息 2
东莞市民远科技投资有限公司
持股比例
99.9231%
股东类型
企业法人
认缴出资额
13000万元
实缴出资额
13000
东莞市中灏电子科技有限公司
持股比例
0.0769%
股东类型
企业法人
认缴出资额
10万元
实缴出资额
-
主要人员 4
刘
刘崇亮
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职位
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经理,董事
张
张国义
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职位
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董事长
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对外投资 4
江苏华功半导体有限公司
股权结构
法定代表人
张国义
注册资本
20400万元人民币
投资数额
3000.0万元
投资比例
14.7059%
成立日期
2016-05-31
经营状态
存续(在营、开业、在册)
车魔师
广东车魔师燕园科技有限公司
股权结构
法定代表人
王德刚
注册资本
1000万元人民币
投资数额
50.0万元
投资比例
5%
成立日期
2017-02-27
经营状态
在营(开业)企业
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开庭公告 2
侵害计算机软件著作权纠纷
案号:
(2023)粤73知民初1151号
开庭日期:
2023-10-16
公诉人/原告:
长沙米拓信息技术有限公司
被告人/被告:
东莞市中镓半导体科技有限公司
股东损害公司债权人利益责任纠纷
案号:
(2021)粤1971民初11923号
开庭日期:
2021-08-19
公诉人/原告:
东莞市东南贸易有限公司
被告人/被告:
东莞市中镓半导体科技有限公司
、
广东车魔师信息科技有限公司
、
东莞燕园创业投资有限公司
裁判文书 7
同辉电子科技股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司承揽合同纠纷再审审查与审判监督民事裁定书
案号:
(2017)粤19民申47号
发布日期:
2019-12-28
案件身份:
再审申请人(一审被告):
{ "name": "同辉电子科技股份有限公司", "digest": "e97a68fede7a1ee6f7c4611357f4ba72" }
被申请人(一审原告):
{ "name": "东莞市中镓半导体科技有限公司", "digest": "f3fd56c8ff01eb02e5043163afad5dad" }
执行法院:
广东省东莞市中级人民法院
同辉电子科技股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司承揽合同纠纷再审审查与审判监督民事裁定书
案号:
(2017)粤19民申46号
发布日期:
2019-12-28
案件身份:
再审申请人(一审被告):
{ "name": "同辉电子科技股份有限公司", "digest": "e97a68fede7a1ee6f7c4611357f4ba72" }
被申请人(一审原告):
{ "name": "东莞市中镓半导体科技有限公司", "digest": "f3fd56c8ff01eb02e5043163afad5dad" }
执行法院:
广东省东莞市中级人民法院
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招投标 11
深圳大学-结果公告(CB105902024001512)
发布日期:
2024-11-08
省份地区:
广东
公告类型:
招标结果
广东光大第三代半导体科研制造中心1区集中生产污水处理厂项目环境影响评价公众参与第一次公示
发布日期:
2024-11-06
省份地区:
广东
公告类型:
-
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商标信息 8
中镓半导体 SINO NITRIDE
商标已注册
注册号:7420234
申请日期:2009-05-25
国际分类:01-化学原料
MAILO
商标无效
注册号:7420226
申请日期:2009-05-25
国际分类:42-网站服务
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专利信息 310
GaN单晶衬底的HEMT外延结构和外延方法
发明公布
法律状态:公布
申请日期:2024-08-06
公布日期:2024-11-19
申请公布号:CN118983336A
AlGaN基二极管的制备方法
发明公布
法律状态:公布
申请日期:2023-03-03
公布日期:2024-09-03
申请公布号:CN118588554A
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