深圳市金誉半导体股份有限公司
更新时间:2026-05-07
存续
简介:深圳市金誉半导体股份有限公司,2011年05月17日成立,经营范围包括集成电路、MCU单片机、IC芯片及相关产品设计、研究开发,半导体元器件、场效应MOS器件、半导体集成电路、光电子、LED、电子零器件及其他相关产品的研发、设计与销售;电子产品方案设计、半导体设备及材料优化改良的研发,国内贸易,货物及技术进出口。(法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外)非居住房地产租赁。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)^半导体元器件、场效应MOS器件、半导体集成电路、光电子、LED、电子零器件及其他相关产品的生产。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)
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法定代表人
顾岚雁
简历
注册资本
9438.8571万人民币
成立日期
2011-05-17
135****0282
联系方式19
工商信息
法定代表人
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顾岚雁
成立日期
2011-05-17
登记状态
存续(在营、开业、在册)
注册资本
9438.857100万人民币
实缴资本
9438.857100万人民币
企业类型
其他股份有限公司(非上市)
参保人数
697人
所属地区
广东省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
9144030057476080X6
工商注册号
440306105403365
组织机构代码
57476080X
曾用名
深圳市金誉半导体有限公司
所属行业
房地产业
经营范围
集成电路、MCU单片机、IC芯片及相关产品设计、研究开发,半导体元器件、场效应MOS器件、半导体集成电路、光电子、LED、电子零器件及其他相关产品的研发、设计与销售;电子产品方案设计、半导体设备及材料优化改良的研发,国内贸易,货物及技术进出口。(法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外)非居住房地产租赁。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)^半导体元器件、场效应MOS器件、半导体集成电路、光电子、LED、电子零器件及其他相关产品的生产。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)
企业地址
深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)
营业期限
2011-05-17 至 无固定期限
核准日期
2024-05-13
登记机关
深圳市市场监督管理局龙华监管局
股东信息 5
顾岚雁
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持股比例
73.4866%
股东类型
自然人股东
认缴出资额
6936.2954万元
实缴出资额
-
深
深圳金誉辉达宏创业投资合伙企业(有限合伙)
持股比例
19.5%
股东类型
合伙企业
认缴出资额
1840.5802万元
实缴出资额
-
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主要人员 12
伍
伍维新
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职位
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董事
常
常军锋
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职位
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董事
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对外投资 6
深圳市迪浦电子有限公司
股权结构
法定代表人
顾岚雁
注册资本
4000万元人民币
投资数额
4000万人民币
投资比例
100%
成立日期
2007-12-24
经营状态
存续(在营、开业、在册)
深圳市天旺科技开发有限公司
股权结构
法定代表人
顾岚雁
注册资本
300万元人民币
投资数额
300万人民币
投资比例
100%
成立日期
1997-10-05
经营状态
存续(在营、开业、在册)
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裁判文书 2
蚌埠南实科技有限公司与深圳市金誉半导体有限公司买卖合同纠纷一审民事裁定书
案号:
(2018)皖0303民初662号
发布日期:
2018-12-28
案件身份:
原告:
{ "name": "蚌埠南实科技有限公司", "digest": "a8e569547401932eb29b705aecc7b2ea" }
被告:
{ "name": "深圳市金誉半导体有限公司", "digest": "3c8a459f5428ddbaee7f9ebf98c607f4" }
执行法院:
蚌埠市蚌山区人民法院
蚌埠南实科技有限公司与深圳市金誉半导体有限公司买卖合同纠纷一审民事裁定书
案号:
(2018)皖0303民初434号
发布日期:
2018-12-28
案件身份:
原告:
{ "name": "蚌埠南实科技有限公司", "digest": "a8e569547401932eb29b705aecc7b2ea" }
被告:
{ "name": "深圳市金誉半导体有限公司", "digest": "3c8a459f5428ddbaee7f9ebf98c607f4" }
执行法院:
蚌埠市蚌山区人民法院
商标信息 76
HT 金誉半导体 JY SEMICONDUCTOR
商标无效
注册号:83019377
申请日期:2025-01-09
国际分类:35-广告销售
HT 金誉半导体 JY SEMICONDUCTOR
商标无效
注册号:83027753
申请日期:2025-01-09
国际分类:42-网站服务
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专利信息 141
基于深度学习的SiC沟槽刻蚀优化方法及系统
发明授权
法律状态:
申请日期:2025-09-05
公布日期:2025-11-18
申请公布号:CN120744411B
基于深度学习的SiC沟槽刻蚀优化方法及系统
发明公布
法律状态:
申请日期:2025-09-05
公布日期:2025-10-03
申请公布号:CN120744411A
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