杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
更新时间:2025-05-23
存续
简介:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司,2017年09月28日成立,经营范围包括研发、制造:高品质(功率器件、集成电路用)半导体硅片、半导体集成电路零部件、器件项目的筹建;经销自产产品并提供相关的技术咨询服务;太阳能光伏发电、售电业务;货物及技术进出口业务(涉及国家规定实施准入特别管理措施的除外)**(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
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法定代表人
贺贤汉
简历
注册资本
503225.68万人民币
成立日期
2017-09-28
0571-82138188
联系方式10
工商信息
法定代表人
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贺贤汉
成立日期
2017-09-28
登记状态
存续
注册资本
503225.677600万人民币
实缴资本
503225.677600万人民币
企业类型
其他股份有限公司(非上市)
参保人数
600人
所属地区
浙江省
人员规模
企业选择不公示
统一社会信用代码
91330100MA2AX8UL47
工商注册号
330100400062862
组织机构代码
MA2AX8UL4
曾用名
杭州中芯晶圆半导体股份有限公司
所属行业
计算机、通信和其他电子设备制造业
经营范围
研发、制造:高品质(功率器件、集成电路用)半导体硅片、半导体集成电路零部件、器件项目的筹建;经销自产产品并提供相关的技术咨询服务;太阳能光伏发电、售电业务;货物及技术进出口业务(涉及国家规定实施准入特别管理措施的除外)**(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
企业地址
浙江省东垦路888号
营业期限
2017-09-28 至 2047-09-27
核准日期
2021-08-26
登记机关
杭州市市场监督管理局
股东信息 3
株
株式会社フェローテックホールディングス
持股比例
45%
股东类型
企业法人
认缴出资额
130500万元
实缴出资额
-
杭州大和热磁电子有限公司
持股比例
35%
股东类型
企业法人
认缴出资额
101500万元
实缴出资额
-
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主要人员 14
孙
孙旭东
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职位
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董事
孙
孙顺华
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职位
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董事
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对外投资 6
中欣晶圆
上海中欣晶圆半导体科技有限公司
股权结构
法定代表人
贺贤汉
注册资本
48000万元人民币
投资数额
48000万人民币
投资比例
100%
成立日期
2019-08-07
经营状态
存续(在营、开业、在册)
中欣晶圆
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
股权结构
法定代表人
贺贤汉
注册资本
150000万元人民币
投资数额
150000万人民币
投资比例
100%
成立日期
2015-12-14
经营状态
存续(在营、开业、在册)
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开庭公告 51
买卖合同纠纷
案号:
(2023)苏0506民初4891号
开庭日期:
2023-06-29
公诉人/原告:
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
被告人/被告:
安徽易芯半导体有限公司
建设工程施工合同纠纷
案号:
(2023)浙民终547号
开庭日期:
2023-06-26
公诉人/原告:
亚翔系统集成科技(苏州)股份有限公司
、
杭州中芯晶圆半导体股份有限公司
被告人/被告:
-
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裁判文书 10
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、安徽易芯半导体有限公司买卖合同纠纷一审民事裁定书
案号:
(2023)浙0114民初342号
发布日期:
2023-02-25
案件身份:
原告:
{ "name": "杭州中欣晶圆半导体股份有限公司", "digest": "e99a7d6fe55488153d9e1b0d25a7ece8" }
被告:
{ "name": "安徽易芯半导体有限公司", "digest": "9aa96fed754fb4ad8ee6287398c9a13f" }
执行法院:
杭州市钱塘区人民法院
吴**、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司等提供劳务者受害责任纠纷一审民事判决书
案号:
(2022)浙0114民初63号
发布日期:
2022-06-09
案件身份:
原告:
{ "name": "吴王翔", "digest": "" }
被告:
{ "name": "杭州中欣晶圆半导体股份有限公司", "digest": "e99a7d6fe55488153d9e1b0d25a7ece8" }
执行法院:
杭州市钱塘区人民法院
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招投标 38
钱塘区杭州中欣晶圆半导体股份有限公司二期1125kW/2250kWh用户侧储能项目2408-330114-89-01-679455
发布日期:
2025-04-28
省份地区:
浙江
公告类型:
-
APEC商务旅行卡换卡申请
发布日期:
2025-04-15
省份地区:
-
公告类型:
-
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商标信息 7
图形
商标无效
注册号:53322105
申请日期:2021-01-27
国际分类:09-科学仪器
CCMC中欣晶圆
商标已注册
注册号:52883633
申请日期:2021-01-11
国际分类:09-科学仪器
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专利信息 403
改善硅片表面粗糙度的工艺方法
发明公布
法律状态:
申请日期:2025-01-20
公布日期:2025-05-27
申请公布号:CN120048724A
降低抛光表面划伤的工艺方法
发明公布
法律状态:
申请日期:2025-01-20
公布日期:2025-05-23
申请公布号:CN120033076A
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